Atramentowy tranzystor

Flexible Transistors

Proces wytwarzania tranzystorów wymaga wysokiej próżni i wysokiej temperatury.

Warunki te stanowią znaczne ograniczenie dla przemysłu elektronicznego. Jednak inżynierom z Uniwersytetu Pensylwanii udało się je obejść: nanieśli na płytkę składniki tranzystora w formie ciekłych nanokrystalicznych „atramentów”. Nanokryształy o pożądanych właściwościach elektrycznych rozpuszczono w cieczy, otrzymując atramenty zawierające: przewodnik (srebro), izolator (tlenek glinu), półprzewodnik (selenek kadmu) i przewodnik domieszkowany (srebro z indem). Kluczem do sukcesu okazało się odpowiednie naniesienie atramentów: ich uzyskanie to nie kłopot, ale nikt wcześniej ich nie połączył, tak aby kolejna warstwa nie zmyła poprzedniej. Naukowcom z Pensylwanii udała się ta sztuka – byli w stanie wytworzyć kilka tranzystorów równocześnie na jednym podłożu.

Niskotemperaturowy proces jest kompatybilny z wieloma materiałami, co otwiera szerokie możliwości jego zastosowania, np. w elastycznych układach elektronicznych. Tranzystory polowe naniesiono na elastyczne plastikowe podłoża za pomocą metody spin-coatingu służącej do nanoszenia cienkich warstw. Być może można w tym procesie wykorzystać także urządzenia przypominające drukarki 3D.

Źródło: news.upenn.edu

Tagi artykułu

Zobacz również

Chcesz otrzymać nasze czasopismo?

Zamów prenumeratę